SK하이닉스 사업분야 및 D램 사업

 

 

SK하이닉스 사업분야

SK하이닉스의 대표적인 사업군은 D램 그리고 낸드플래시 사업분야 입니다.

SK하이닉스 사업에서 HBM(고대역폭 메모리)은 매우 중요한 비중을 차지하고 있어요. 📈 2025년 1분기 기준, SK하이닉스 **전체 D램 매출에서 HBM이 차지하는 비중은 42%**에 달하며, D램 영업이익의 54%를 차지했습니다. 특히, 2025년 하반기에는 차세대 HBM 제품의 판매 확대로 이 비중이 80% 이상으로 더욱 증가할 것으로 전망되고 있습니다.

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현재 반도체 기술 동향

현재 반도체 기술은 인공지능(AI)과 데이터 처리에 최적화된 방향으로 빠르게 발전하고 있습니다. 주요 기술 트렌드는 다음과 같습니다.

• 고대역폭 메모리(HBM) HBM은 여러 개의 D램 칩을 수직으로 쌓아 올려 데이터 처리 속도와 용량을 혁신적으로 개선한 메모리 반도체입니다. AI 가속기, 고성능 컴퓨팅(HPC) 등 대규모 데이터를 빠르게 처리해야 하는 분야에서 필수적인 기술로, 현재 반도체 시장의 핵심 동력으로 작용하고 있습니다.
• 첨단 패키징 (Advanced Packaging) 반도체 칩을 만드는 미세 공정의 한계를 극복하기 위해 여러 칩을 하나의 패키지에 통합하는 기술입니다. 이 기술을 통해 CPU, GPU, 메모리 등 다양한 칩을 효율적으로 연결하여 성능을 극대화하고 전력 소모를 줄일 수 있습니다. '칩렛(Chiplet)' 기술이 대표적인 예시입니다.
• 시스템 온 칩 (System on Chip, SoC) CPU, GPU, NPU(신경망 처리 장치) 등 여러 기능을 하나의 칩에 통합하는 기술입니다. 스마트폰, PC, 자율주행차 등 다양한 기기에 탑재되어 복잡한 연산을 효율적으로 처리하는 데 사용됩니다. AI 기능을 강화한 NPU는 에지(Edge) 기기에서 AI 연산을 직접 수행하는 데 중요한 역할을 합니다.
• 새로운 소재 및 아키텍처 기존 실리콘 기반 반도체의 한계를 넘어서기 위해 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN)과 같은 새로운 소재를 활용한 전력 반도체 개발이 활발합니다. 또한, 데이터를 처리하는 메모리 내부에서 연산을 수행하는 PIM(Processing-In-Memory) 기술이나, 빛(광자)을 이용해 데이터를 전송하는 실리콘 포토닉스(Silicon Photonics) 기술 등 혁신적인 아키텍처 연구가 진행되고 있습니다.

 

D램(DRAM)과 S램(SRAM)**은 데이터를 저장하는 방식에 따라 주요 차이가 있습니다.

• **D램(DRAM, Dynamic RAM)**은 콘덴서에 전하를 충전하여 데이터를 저장합니다. 전하가 시간이 지나면 방전되기 때문에 주기적으로 전하를 재충전(refresh)해줘야 데이터가 유지됩니다. 🔄 이 때문에 S램보다 속도가 느리고 전력 소모가 많습니다. 하지만 구조가 간단하여 집적도가 높고 가격이 저렴해 PC나 서버의 주 메모리(RAM)로 널리 사용됩니다.
• **S램(SRAM, Static RAM)**은 전하를 재충전할 필요 없이 전원이 공급되는 동안 데이터를 유지합니다. ⚡️ 따라서 D램보다 훨씬 빠르고 전력 소모가 적습니다. 하지만 회로가 복잡하고 크기가 커서 집적도가 낮고 가격이 비싸다는 단점이 있습니다. 주로 CPU 내부의 캐시 메모리처럼 고속 처리가 중요한 곳에 사용됩니다.

 

SK하이닉스 낸드 플래시 사업은 D램에 비해 상대적으로 어려움을 겪었지만, 최근 긍정적인 전망이 나오고 있습니다. SK하이닉스의 낸드 사업은 D램만큼 큰 비중을 차지하지는 않지만, 전략적으로 중요한 분야로 반등을 모색하고 있습니다.

 

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낸드플래시 사업전망

• 수요 회복 및 가격 상승: 최근 낸드플래시 시장은 고객사의 재고 소진과 기업용 SSD(eSSD) 수요 증가에 힘입어 가격이 상승하고 출하량이 증가하는 추세입니다. 2025년 2분기에는 낸드 매출이 전 분기 대비 10% 증가할 것으로 전망되기도 했습니다.
• AI 서버 시장의 성장: 인공지능(AI) 시대가 도래하면서 데이터 센터용 고성능, 고용량 낸드플래시 수요가 크게 늘고 있습니다. SK하이닉스는 자회사인 솔리다임(Solidigm)과의 시너지를 통해 AI 서버향 eSSD 시장을 적극 공략하며 낸드 사업의 반등을 노리고 있습니다.
• 기술 경쟁 심화: 낸드 시장에서 기술 경쟁은 '적층' 기술에 집중되고 있습니다. SK하이닉스를 포함한 주요 메모리 업체들은 300단 이상의 고층 낸드 개발 및 양산을 위해 치열하게 경쟁하고 있습니다. SK하이닉스도 321단 낸드 개발을 발표하는 등 기술 리더십을 확보하기 위해 노력하고 있습니다.

SK하이닉스의 낸드 사업 현황 및 목표

SK하이닉스는 낸드플래시 시장에서 삼성전자에 이어 글로벌 2위의 점유율을 유지하고 있습니다. 특히, AI 서버 시장에 필요한 고용량 SSD를 중심으로 사업 경쟁력을 강화하며 D램에 이어 낸드 사업에서도 '순항'을 기대하고 있습니다. SK하이닉스는 낸드 적층 기술을 통해 AI 붐에 올라타겠다는 의지를 밝히며, 시장의 불확실성에 대응하고 수익성을 확보하는 데 집중할 것으로 보입니다.

 

 

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D램의 구조

D램은 '1T1C' 구조라고 불리는 트랜지스터 1개와 콘덴서(커패시터) 1개로 이루어진 셀에 데이터를 저장해요. 여기서 콘덴서가 바로 데이터를 저장하는 역할을 합니다.

D램의 원리를 자세히 설명하면 다음과 같습니다.

• 데이터 저장: 콘덴서에 전하를 채우거나 비움으로써 1비트의 정보를 표현합니다. 🔋 예를 들어, 콘덴서에 전하가 가득 차 있으면 '1'로 인식하고, 전하가 없으면 '0'으로 인식하는 식이죠.
• 트랜지스터의 역할: 트랜지스터는 콘덴서에 데이터를 쓰고 읽는 역할을 하는 스위치예요. 특정 셀에 데이터를 저장하고 싶을 때 트랜지스터가 켜지면서 콘덴서로 전하가 흘러들어 가거나 빠져나가게 됩니다.
• 다이나믹(Dynamic)의 이유: D램의 가장 큰 특징은 콘덴서에 저장된 전하가 시간이 지나면 자연스럽게 누설되어 사라진다는 점이에요. 💦 따라서 데이터가 손실되지 않도록 몇 밀리초(ms)마다 주기적으로 전하를 재충전(refresh)해줘야 합니다. 이러한 '동적인' 재충전 과정 때문에 D램(DRAM)이라는 이름이 붙은 것이죠.

이처럼 D램은 간단한 구조 덕분에 집적도가 높고 가격이 저렴하다는 장점이 있지만, 지속적인 재충전이 필요해 S램보다 속도가 느리다는 단점을 가지고 있어요.